前沿芯片技术 SK海力士375层NAND量产在即:钼材料突破工艺瓶颈对中国存储芯片选型的启示 核心观点:SK海力士375层NAND量产对存储选型的影响 SK海力士即将量产的375层3D NAND闪存,通过引入钼(Mo)材料替代传统多晶硅,有效解决了超高层堆叠中的热预算与应力失衡问题。这一技术突破预计将企业级SSD的单位容量成本降低15%-20%,显著提升全闪存阵列的性能密度。对于中国数据中心CTO而言,这意味着…